IRF100S201 Advantage Supply Stock Neuer Original-Smart-IC-Chips-Stücklistenservice für IRF100S201
Produkteigenschaften
| TYP | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Paket | Tape & Reel (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel® |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 192A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,2 mOhm bei 115 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4 V bei 250 µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 255 nC bei 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 9500 pF bei 50 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 441W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Oberflächenmontage |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO263-3 |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB |
| Basisproduktnummer | IRF100 |
Dokumente und Medien
| RESSOURCENTYP | VERKNÜPFUNG |
| Datenblätter | IRF100(B,S)201 |
| Andere verwandte Dokumente | IR-Teilenummerierungssystem |
| Vorgestelltes Produkt | Datenverarbeitungssysteme |
| HTML-Datenblatt | IRF100(B,S)201 |
Umwelt- und Exportklassifizierungen
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Zusätzliche Ressourcen
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| Andere Namen | IRF100S201CT IRF100S201-ND SP001550868 IFEINFIRF100S201 IRF100S201TR IRF100S201DKR 2156-IRF100S201 |
| Standardpaket | 800 |
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das üblicherweise in Verstärkern oder elektronisch gesteuerten Schaltern verwendet wird.Transistoren sind die Grundbausteine, die den Betrieb von Computern, Mobiltelefonen und allen anderen modernen elektronischen Schaltkreisen regeln.
Aufgrund ihrer schnellen Reaktionsgeschwindigkeit und hohen Genauigkeit können Transistoren für eine Vielzahl digitaler und analoger Funktionen verwendet werden, darunter Verstärkung, Schalten, Spannungsregler, Signalmodulation und Oszillator.Transistoren können einzeln oder in einem sehr kleinen Bereich verpackt werden, der 100 Millionen oder mehr Transistoren als Teil eines integrierten Schaltkreises aufnehmen kann.
Gegenüber der Elektronenröhre hat der Transistor viele Vorteile:
1.Komponente hat keinen Verbrauch
Unabhängig davon, wie gut die Röhre ist, wird sie aufgrund von Veränderungen in den Kathodenatomen und chronischem Luftleck immer schlechter.Aus technischen Gründen hatten Transistoren bei ihrer ersten Herstellung das gleiche Problem.Durch Fortschritte bei den Materialien und Verbesserungen in vielen Aspekten halten Transistoren in der Regel 100 bis 1.000 Mal länger als elektronische Röhren.
2. Verbrauchen Sie sehr wenig Strom
Es beträgt nur ein Zehntel oder Zehntel der Elektronenröhre.Es ist nicht erforderlich, den Glühfaden zu erhitzen, um freie Elektronen wie bei der Elektronenröhre zu erzeugen.Ein Transistorradio benötigt nur ein paar Trockenbatterien, um sechs Monate im Jahr zu hören, was bei einem Röhrenradio schwierig ist.
3.Kein Vorheizen erforderlich
Arbeiten Sie, sobald Sie es einschalten.Beispielsweise geht ein Transistorradio aus, sobald es eingeschaltet wird, und ein Transistorfernseher stellt ein Bild ein, sobald er eingeschaltet wird.Vakuumröhrengeräte können das nicht.Warten Sie nach dem Booten eine Weile, bis Sie den Ton hören, siehe Bild.Offensichtlich sind Transistoren im Militär-, Mess-, Aufzeichnungs- usw. Bereich sehr vorteilhaft.
4. Stark und zuverlässig
100-mal zuverlässiger als die Elektronenröhre, Schockfestigkeit, Vibrationsfestigkeit, die mit der Elektronenröhre nicht zu vergleichen ist.Darüber hinaus beträgt die Größe des Transistors nur ein Zehntel bis ein Hundertstel der Größe der Elektronenröhre, was zu einer sehr geringen Wärmeabgabe führt und zum Entwurf kleiner, komplexer und zuverlässiger Schaltkreise verwendet werden kann.Obwohl der Herstellungsprozess von Transistoren präzise ist, ist der Prozess einfach, was zur Verbesserung der Installationsdichte von Komponenten beiträgt.
