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Neue und originale elektronische Komponente IRF7103TRPBF IC-Chip
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET Typ 2 N-Kanal (Dual) FET Funktion: Standard-Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 6,5 A Rds On (max.) bei Id, Vgs 29 mOhm bei 5,8 A, 10 V Vgs(th) (max.) bei Id 1 V bei 250 µA Gate-Ladung (Qg) (Max... -
IRF7103TRPBF Neuer und ursprünglicher integrierter Schaltkreis-IC-Chip IRF7103TRPBF
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET Typ 2 N-Kanal (Dual) FET Funktion: Standard-Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C, 3 A Rds On (max.) bei Id, Vgs 130 mOhm bei 3 A, 10 V Vgs(th) (max.) bei Id, 3 V bei 250 µA Gate-Ladung (Qg) (Max) @... -
IRF7103TRPBF Neuer und ursprünglicher integrierter Schaltkreis-IC-Chip IRF7103TRPBF
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET Typ 2 N-Kanal (Dual) FET Funktion: Standard-Drain-Source-Spannung (Vdss) 50 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C, 3 A Rds On (max.) bei Id, Vgs 130 mOhm bei 3 A, 10 V Vgs(th) (max.) bei Id, 3 V bei 250 µA Gate-Ladung (Qg) (Max) @... -
IRF4905STRLPBF Neue und originale IC-Chip-Stücklisten-Service für elektronische Komponenten auf Lager IRF4905STRLPBF
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie HEXFET®-Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ P-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 42 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 20 mOhm bei 42 A, 10V Vg... -
Brandneue Original-Elektronikkomponenten IC-Chip IRF3205STRLPBF Integrierte Schaltkreise
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 110 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 8 mOhm bei 62 A, 10V Vg... -
IRF100S201 Advantage Supply Stock Neuer Original-Smart-IC-Chips-Stücklistenservice für IRF100S201
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie HEXFET®, StrongIRFET™ Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid) Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 192 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 4,2 mOh... -
IPW60R099P7 Neues Original auf Lager, schnelle Lieferung, IC-Chip, elektronische Komponenten, BOM-Service für IPW60R099P7
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Integrierte Schaltkreise (ICs) Spezialisierte ICs Hersteller Infineon Technologies Serie – Paket Bulk Produktstatus Aktive Dokumente und Medien RESSOURCENTYP LINK Datenblätter IPW60R099P7 Datenblatt Umwelt- und Exportklassifizierungen ATTRIBUT BESCHREIBUNG ECCN EAR99 HTSUS 8541.29.0095 Zusätzliche Ressourcen ATTRIBUT BESCHREIBUNG Andere Namen 2156 -IPW60R099P7 INFINFIPW60R099P7 Standardpaket 1 Ein integrierter Schaltkreis... -
IPD135N08N3G Brandneuer integrierter Schaltkreis mit hoher Qualität
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Paket Tape & Reel (TR) Produktstatus Veraltet FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid) Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V-Strom – Dauerstrom (Id) bei 25 °C 45 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 6 V, 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 13,5 mOhm bei 45 A, 10 V Vgs(th) ( Max) @ Id... -
IPD036N04LG Heißer Verkauf ICS neu und originell mit hoher Qualität
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ 3 Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metall). Oxid) Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 90 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 3,6 mOhm bei 90 A... -
TO-252 IPD33CN10NG mit hochwertigem Chip-Transistor, Neu- und Originalpreis
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 27 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 33 mOhm bei 27 A, 10V ... -
IPD031N06L3G neuer originaler IC-Chip MCU BOM-Service für elektronische Komponenten auf Lager IPD031N06L3G
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 100 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 3,1 mOhm bei 100A... -
IMZA65R072M1H IC-Chips Transistoren Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Kondensator IMZA65R072M1H
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie – Package Tube Produktstatus Aktiver FET-Typ – Technologie – Strom – Dauerstrom (Id) bei 25 °C 28 A (Tc) Antriebsspannung (max. Rds Ein, Min. Rds Ein) - Rds Ein (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - FET-Funktion - Verlustleistung (Max) - Betriebstemperatur - Basisproduktnummer IMZA6.. .
