STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP Röhre

kurze Beschreibung:

Der Leistungs-MOSFETde STF13N80K5 hat eine maximale Leistungsaufnahme von 35.000 mW.Um sicherzustellen, dass Teile durch Großverpackungen nicht beschädigt werden, werden Schlauchverpackungen verwendet, die durch die Lagerung loser Teile in Außenschläuchen einen gewissen Schutz bieten.Der Transistor kann einfach und schnell zwischen verschiedenen elektronischen Signalen umschalten.Das Gerät nutzt die Super-Mesh-Technologie.Der MOSFET-Transistor arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C.

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Produktdetail

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Produkteigenschaften

EU RoHS	Entspricht der Ausnahmeregelung
ECCN (USA)	EAR99
Teilestatus	Aktiv
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Ja
SVHC überschreitet den Grenzwert	Ja
Automobil	No
PPAP	No
Produktkategorie	Leistungs-MOSFET
Aufbau	Einzel
Prozesstechnik	SuperMESH
Kanalmodus	Erweiterung
Kanaltyp	N
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Maximale Drain-Source-Spannung (V)	800
Maximale Gate-Source-Spannung (V)	±30
Maximale Gate-Schwellenspannung (V)	5
Betriebsübergangstemperatur (°C)	-55 bis 150
Maximaler Dauerstrom (A)	12
Maximaler Leckstrom der Gate-Quelle (nA)	10000
Maximales IDSS (uA)	1
Maximaler Drain-Source-Widerstand (mOhm)	450@10V
Typische Gate-Ladung bei Vgs (nC)	27@10V
Typische Gate-Ladung bei 10 V (nC)	27
Typische Eingangskapazität bei Vds (pF)	870@100V
Maximale Verlustleistung (mW)	35000
Typische Fallzeit (ns)	16
Typische Anstiegszeit (ns)	16
Typische Ausschaltverzögerungszeit (ns)	42
Typische Einschaltverzögerungszeit (ns)	16
Mindestbetriebstemperatur (°C)	-55
Maximale Betriebstemperatur (°C)	150
Temperaturklasse des Lieferanten	Industriell
Verpackung	Rohr
Maximale positive Gate-Source-Spannung (V)	30
Maximale Diodendurchlassspannung (V)	1.5
Montage	Durchgangsloch
Pakethöhe	16,4 (maximal)
Paketbreite	4,6 (maximal)
Paketlänge	10,4 (maximal)
Platine geändert	3
Tab	Tab
Standardpaketname	TO
Lieferantenpaket	TO-220FP
Pin-Anzahl	3
Bleiform	Durchgangsloch

Einführung

Eine Feldeffektröhre ist eineelektronisches Gerätdient zur Steuerung und Regelung des Stroms in einem elektronischen Schaltkreis.Es handelt sich um eine kleine Triode mit sehr hoher Stromverstärkung.FETs werden häufig in elektronischen Schaltkreisen verwendet, zLeistungsverstärker, Verstärkerschaltung, Filterschaltung,Schaltkreisund so weiter.

Das Prinzip der Feldeffektröhre ist der Feldeffekt, ein elektrisches Phänomen, das sich auf einige Halbleitermaterialien, wie z. B. Silizium, bezieht. Nach dem Anlegen eines angelegten elektrischen Feldes wird die Aktivität ihrer Elektronen deutlich verbessert, wodurch sich ihre Leitfähigkeit ändert Eigenschaften.Wenn also ein elektrWird ein c-Feld an die Oberfläche eines Halbleitermaterials angelegt, können dessen Leitfähigkeitseigenschaften gesteuert werden, um so den Zweck der Stromregulierung zu erreichen.

Fets werden in Fets vom N-Typ und Fets vom P-Typ unterteilt.N-Typ-FETs bestehen aus N-Typ-Halbleitermaterialien mit hoher Durchlassleitfähigkeit und niedriger Rückwärtsleitfähigkeit.P-Typ-FETs bestehen aus P-Typ-Halbleitermaterialien mit hoher Rückwärtsleitfähigkeit und niedriger Vorwärtsleitfähigkeit.Die Feldeffektröhre, die aus einer Feldeffektröhre vom N-Typ und einer Feldeffektröhre vom P-Typ besteht, kann eine Stromsteuerung realisieren.

Das Hauptmerkmal des FET besteht darin, dass er eine hohe Stromverstärkung aufweist, die für Schaltkreise mit hoher Frequenz und hoher Empfindlichkeit geeignet ist und die Eigenschaften eines geringen Rauschens und eines geringen Grenzrauschens aufweist.Es bietet außerdem die Vorteile eines geringen Stromverbrauchs, einer geringen Wärmeableitung, Stabilität und Zuverlässigkeit und ist ein ideales Stromsteuerelement.

Fets funktionieren ähnlich wie gewöhnliche Trioden, jedoch mit einer höheren Stromverstärkung.Sein Arbeitskreis ist im Allgemeinen in drei Teile unterteilt: Quelle, Abfluss und Steuerung.Source und Drain bilden den Strompfad, während der Steuerpol den Stromfluss steuert.Wenn eine Spannung an den Steuerpol angelegt wird, kann der Stromfluss gesteuert werden, um den Zweck der Stromregulierung zu erreichen.

In praktischen Anwendungen werden FETs häufig in Hochfrequenzschaltungen wie Leistungsverstärkern, Filterschaltungen, Schaltkreisen usw. verwendet. In Leistungsverstärkern können FETs beispielsweise den Eingangsstrom verstärken und dadurch die Ausgangsleistung erhöhen;Im Filterkreis kann die Feldeffektröhre das Rauschen im Kreis herausfiltern.Im Schaltkreis kann der FET die Schaltfunktion realisieren.

Im Allgemeinen sind FETs eine wichtige elektronische Komponente und werden häufig in elektronischen Schaltkreisen verwendet.Es zeichnet sich durch hohe Stromverstärkung, geringen Stromverbrauch, Stabilität und Zuverlässigkeit aus und ist ein ideales Stromsteuerelement

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