10AX066H3F34E2SG 100 % neuer und originaler Isolationsverstärker, 1 Schaltkreis, differenziell, 8-SOP

kurze Beschreibung:

Manipulationsschutz – umfassender Designschutz zum Schutz Ihrer wertvollen IP-Investitionen

Verbesserte 256-Bit-AES-Designsicherheit (Advanced Encryption Standard) mit Authentifizierung

Konfiguration über Protokoll (CvP) mit PCIe Gen1, Gen2 oder Gen3

Dynamische Rekonfiguration der Transceiver und PLLs

Feinkörnige partielle Neukonfiguration des Kerngewebes

Aktive serielle x4-Schnittstelle

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Produktdetail

Produkt Tags

Produkteigenschaften

EU RoHS	Konform
ECCN (USA)	3A001.a.7.b
Teilestatus	Aktiv
HTS	8542.39.00.01
Automobil	No
PPAP	No
Familienname	Arria® 10 GX
Prozesstechnik	20 nm
Benutzer-E/As	492
Anzahl der Register	1002160
Betriebsversorgungsspannung (V)	0,9
Logikelemente	660000
Anzahl der Multiplikatoren	3356 (18x19)
Programmspeichertyp	SRAM
Eingebetteter Speicher (Kbit)	42660
Gesamtzahl des Block-RAM	2133
Gerätelogikeinheiten	660000
Geräteanzahl der DLLs/PLLs	16
Transceiver-Kanäle	24
Transceiver-Geschwindigkeit (Gbit/s)	17.4
Dedizierter DSP	1678
PCIe	2
Programmierbarkeit	Ja
Unterstützung der Neuprogrammierbarkeit	Ja
Kopierschutz	Ja
In-System-Programmierbarkeit	Ja
Geschwindigkeitsstufe	3
Single-Ended-I/O-Standards	LVTTL\|LVCMOS
Externe Speicherschnittstelle	DDR3 SDRAM\|DDR4\|LPDDR3\|RLDRAM II\|RLDRAM III\|QDRII+SRAM
Minimale Betriebsversorgungsspannung (V)	0,87
Maximale Betriebsversorgungsspannung (V)	0,93
E/A-Spannung (V)	1,2\|1,25\|1,35\|1,5\|1,8\|2,5\|3
Mindestbetriebstemperatur (°C)	0
Maximale Betriebstemperatur (°C)	100
Temperaturklasse des Lieferanten	Erweitert
Handelsname	Arria
Montage	Oberflächenmontage
Pakethöhe	2,63
Paketbreite	35
Paketlänge	35
Platine geändert	1152
Standardpaketname	BGA
Lieferantenpaket	FC-FBGA
Pin-Anzahl	1152
Bleiform	Ball

Integrierter Schaltkreistyp

Im Vergleich zu Elektronen haben Photonen keine statische Masse, eine schwache Wechselwirkung, eine starke Anti-Interferenz-Fähigkeit und sind besser für die Informationsübertragung geeignet.Es wird erwartet, dass die optische Verbindung zur Kerntechnologie wird, um die Stromverbrauchsmauer, die Speichermauer und die Kommunikationsmauer zu durchbrechen.Beleuchtungs-, Koppler-, Modulator- und Wellenleitergeräte sind in optische Funktionen mit hoher Dichte integriert, z. B. ein integriertes fotoelektrisches Mikrosystem, das Qualität, Volumen und Stromverbrauch einer fotoelektrischen Integration mit hoher Dichte und eine fotoelektrische Integrationsplattform einschließlich monolithisch integrierter III-V-Verbindungshalbleiter (INP) realisieren kann ) passive Integrationsplattform, Silikat- oder Glasplattform (planarer optischer Wellenleiter, PLC) und siliziumbasierte Plattform.

Die InP-Plattform wird hauptsächlich für die Herstellung von Lasern, Modulatoren, Detektoren und anderen aktiven Geräten verwendet. Das Technologieniveau ist niedrig und die Substratkosten sind hoch.Verwendung der SPS-Plattform zur Herstellung passiver Komponenten mit geringem Verlust und großem Volumen;Das größte Problem beider Plattformen besteht darin, dass die Materialien nicht mit siliziumbasierter Elektronik kompatibel sind.Der hervorstechendste Vorteil der siliziumbasierten photonischen Integration besteht darin, dass der Prozess mit dem CMOS-Prozess kompatibel ist und die Produktionskosten niedrig sind, sodass er als das vielversprechendste optoelektronische und sogar rein optische Integrationsschema gilt

Es gibt zwei Integrationsmethoden für siliziumbasierte photonische Geräte und CMOS-Schaltkreise.

Der Vorteil von Ersterem besteht darin, dass die photonischen Geräte und die elektronischen Geräte separat optimiert werden können, die anschließende Verpackung ist jedoch schwierig und die kommerziellen Anwendungen sind begrenzt.Letzteres ist schwierig zu entwerfen und die Integration der beiden Geräte zu verarbeiten.Derzeit ist die Hybridmontage auf Basis der Kernpartikelintegration die beste Wahl

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