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Produkte

AQX IRF7416TRPBF Neuer und originaler integrierter Schaltkreis-IC-Chip IRF7416TRPBF

kurze Beschreibung:


Produktdetail

Produkt Tags

Produkteigenschaften

TYP BESCHREIBUNG
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte

Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln

Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR)

Schnittband (CT)

Digi-Reel®

Produktstatus Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm bei 5,6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 1 V bei 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 92 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1700 pF bei 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2,5 W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten 8-SO
Paket/Koffer 8-SOIC (0,154″, 3,90 mm Breite)
Basisproduktnummer IRF7416

Dokumente und Medien

RESSOURCENTYP VERKNÜPFUNG
Datenblätter IRF7416PbF
Andere verwandte Dokumente IR-Teilenummerierungssystem
Produktschulungsmodule Integrierte Hochspannungsschaltkreise (HVIC-Gate-Treiber)

Diskrete Leistungs-MOSFETs 40 V und darunter

Vorgestelltes Produkt Datenverarbeitungssysteme
HTML-Datenblatt IRF7416PbF
EDA-Modelle IRF7416TRPBF von Ultra Librarian
Simulationsmodelle IRF7416PBF Säbelmodell

Umwelt- und Exportklassifizierungen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Ressourcen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Standardpaket 4.000

IRF7416

Vorteile
Planare Zellstruktur für breite SOA
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Schaltanwendungen unter <100 kHz
Energiepaket für die Oberflächenmontage nach Industriestandard
Geeignet für Wellenlöten
-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse
Vorteile
RoHS-konform
Niedriges RDS (ein)
Branchenführende Qualität
Dynamische dv/dt-Bewertung
Schnelles Umschalten
Vollständig Lawinentauglich
175 °C Betriebstemperatur
P-Kanal-MOSFET

Transistor

Ein Transistor ist einHalbleiterbauelementgewöhnt anverstärkenoderschaltenelektrische Signale undLeistung.Der Transistor ist einer der Grundbausteine ​​der ModerneElektronik.[1]Es besteht ausHalbleitermaterial, normalerweise mit mindestens dreiTerminalszum Anschluss an eine elektronische Schaltung.AStromspannungoderaktuellEin an ein Klemmenpaar des Transistors angelegter Strom steuert den Strom durch ein anderes Klemmenpaar.Da die gesteuerte (Ausgangs-)Leistung höher sein kann als die steuernde (Eingangs-)Leistung, kann ein Transistor ein Signal verstärken.Einige Transistoren sind einzeln verpackt, viele weitere sind jedoch eingebettetintegrierte Schaltkreise.

Österreichisch-ungarisch Physiker Julius Edgar Lilienfeldschlug das Konzept von a vorFeldeffekttransistorim Jahr 1926, aber es war zu diesem Zeitpunkt noch nicht möglich, tatsächlich ein funktionierendes Gerät zu bauen.[2]Das erste funktionierende Gerät, das gebaut wurde, war einPunktkontakttransistor1947 von amerikanischen Physikern erfundenJohn BardeenUndWalter Brattainwährend der Arbeit unterWilliam ShockleybeiBell Labs.Die drei teilten sich das Jahr 1956Nobelpreis für Physikfür ihre Leistung.[3]Der am weitesten verbreitete Transistortyp ist derMetalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor(MOSFET), der von erfunden wurdeMohamed AtallaUndDawon Kahngbei Bell Labs im Jahr 1959.[4][5][6]Transistoren revolutionierten den Bereich der Elektronik und ebneten den Weg für kleinere und günstigere GeräteRadios,Taschenrechner, UndComputers, unter anderem.

Die meisten Transistoren bestehen aus sehr reinemSilizium, und einige vonGermanium, aber manchmal werden auch bestimmte andere Halbleitermaterialien verwendet.Ein Transistor kann nur eine Art von Ladungsträgern haben, wie ein Feldeffekttransistor, oder er kann zwei Arten von Ladungsträgern habenbipolarer SperrschichttransistorGeräte.Verglichen mit demVakuumröhreTransistoren sind im Allgemeinen kleiner und benötigen zum Betrieb weniger Strom.Bestimmte Vakuumröhren haben bei sehr hohen Betriebsfrequenzen oder hohen Betriebsspannungen Vorteile gegenüber Transistoren.Viele Transistortypen werden von mehreren Herstellern nach standardisierten Spezifikationen hergestellt.


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