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Brandneue Original-Elektronikkomponenten IC-Chip IRF3205STRLPBF Integrierte Schaltkreise

kurze Beschreibung:


Produktdetail

Produkt Tags

Produkteigenschaften

TYP BESCHREIBUNG
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte

Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln

Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Paket Tape & Reel (TR)

Schnittband (CT)

Digi-Reel®

Produktstatus Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V
Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm bei 62 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 4 V bei 250 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 146 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3247 pF bei 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200 W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten D2PAK
Paket/Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB
Basisproduktnummer IRF3205

Dokumente und Medien

RESSOURCENTYP VERKNÜPFUNG
Datenblätter IRF3205(S,L)PbF
Andere verwandte Dokumente IR-Teilenummerierungssystem
Produktschulungsmodule Integrierte Hochspannungsschaltkreise (HVIC-Gate-Treiber)
Vorgestelltes Produkt Datenverarbeitungssysteme
HTML-Datenblatt IRF3205(S,L)PbF
EDA-Modelle IRF3205STRLPBF von SnapEDA

IRF3205STRLPBF von Ultra Librarian

Simulationsmodelle IRF3205SPBF Säbelmodell

Umwelt- und Exportklassifizierungen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Ressourcen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen IRF3205STRLPBF-ND

SP001576758

IRF3205STRLPBFTR

IRF3205STRLPBFDKR

IRF3205STRLPBFCT

Standardpaket 800

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das üblicherweise in Verstärkern oder elektronisch gesteuerten Schaltern verwendet wird.Transistoren sind die Grundbausteine, die den Betrieb von Computern, Mobiltelefonen und allen anderen modernen elektronischen Schaltkreisen regeln.

Aufgrund ihrer schnellen Reaktionsgeschwindigkeit und hohen Genauigkeit können Transistoren für eine Vielzahl digitaler und analoger Funktionen verwendet werden, darunter Verstärkung, Schalten, Spannungsregler, Signalmodulation und Oszillator.Transistoren können einzeln oder in einem sehr kleinen Bereich verpackt werden, der 100 Millionen oder mehr Transistoren als Teil eines integrierten Schaltkreises aufnehmen kann.

Gegenüber der Elektronenröhre hat der Transistor viele Vorteile:

Komponente hat keinen Verbrauch

Unabhängig davon, wie gut die Röhre ist, wird sie aufgrund von Veränderungen in den Kathodenatomen und chronischem Luftleck immer schlechter.Aus technischen Gründen hatten Transistoren bei ihrer ersten Herstellung das gleiche Problem.Durch Fortschritte bei den Materialien und Verbesserungen in vielen Aspekten halten Transistoren in der Regel 100 bis 1.000 Mal länger als elektronische Röhren.

Verbrauchen Sie sehr wenig Strom

Es beträgt nur ein Zehntel oder Zehntel der Elektronenröhre.Es ist nicht erforderlich, den Glühfaden zu erhitzen, um freie Elektronen wie bei der Elektronenröhre zu erzeugen.Ein Transistorradio benötigt nur ein paar Trockenbatterien, um sechs Monate im Jahr zu hören, was bei einem Röhrenradio schwierig ist.

Kein Vorheizen erforderlich

Arbeiten Sie, sobald Sie es einschalten.Beispielsweise geht ein Transistorradio aus, sobald es eingeschaltet wird, und ein Transistorfernseher stellt ein Bild ein, sobald er eingeschaltet wird.Vakuumröhrengeräte können das nicht.Warten Sie nach dem Booten eine Weile, bis Sie den Ton hören, siehe Bild.Offensichtlich sind Transistoren im Militär-, Mess-, Aufzeichnungs- usw. Bereich sehr vorteilhaft.

Stark und zuverlässig

100-mal zuverlässiger als die Elektronenröhre, Schockfestigkeit, Vibrationsfestigkeit, die mit der Elektronenröhre nicht zu vergleichen ist.Darüber hinaus beträgt die Größe des Transistors nur ein Zehntel bis ein Hundertstel der Größe der Elektronenröhre, was zu einer sehr geringen Wärmeabgabe führt und zum Entwurf kleiner, komplexer und zuverlässiger Schaltkreise verwendet werden kann.Obwohl der Herstellungsprozess von Transistoren präzise ist, ist der Prozess einfach, was zur Verbesserung der Installationsdichte von Komponenten beiträgt.


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