Merrill-Chip, neu und original, auf Lager, elektronische Komponenten, integrierter Schaltkreis IC IRFB4110PBF
Produkteigenschaften
| TYP | BESCHREIBUNG |
| Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Paket | Rohr |
| Produktstatus | Aktiv |
| FET-Typ | N-Kanal |
| Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4,5 mOhm bei 75 A, 10 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4 V bei 250 µA |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC bei 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 9620 pF bei 50 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 370 W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Durchgangsloch |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB |
| Paket/Koffer | TO-220-3 |
| Basisproduktnummer | IRFB4110 |
Dokumente und Medien
| RESSOURCENTYP | VERKNÜPFUNG |
| Datenblätter | IRFB4110PbF |
| Andere verwandte Dokumente | IR-Teilenummerierungssystem |
| Produktschulungsmodule | Integrierte Hochspannungsschaltkreise (HVIC-Gate-Treiber) |
| Vorgestelltes Produkt | Robotik und Fahrerlose Transportfahrzeuge (AGV) |
| HTML-Datenblatt | IRFB4110PbF |
| EDA-Modelle | IRFB4110PBF von SnapEDA |
| Simulationsmodelle | IRFB4110PBF Säbelmodell |
Umwelt- und Exportklassifizierungen
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| RoHS-Status | ROHS3-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
| REACH-Status | REACH Unberührt |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Zusätzliche Ressourcen
| ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
| Andere Namen | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Standardpaket | 50 |
Die Strong IRFET™-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Strombelastbarkeit optimiert.Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern.Das umfassende Portfolio deckt ein breites Anwendungsspektrum ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.
Zusammenfassung der Funktionen
Durchsteckbares Stromversorgungspaket nach Industriestandard
Hochstrombewertung
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Schaltanwendungen unter <100 kHz
Weichere Body-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Umfangreiches Portfolio verfügbar
Vorteile
Die Standard-Pinbelegung ermöglicht einen Drop-in-Austausch
Paket mit hoher Stromtragfähigkeit
Branchenübliches Qualifikationsniveau
Hohe Leistung bei Niederfrequenzanwendungen
Erhöhte Leistungsdichte
Bietet Designern Flexibilität bei der Auswahl des optimalsten Geräts für ihre Anwendung
Parametriken
| Parametrik | IRFB4110 |
| Budgetpreis €/1.000 | 1,99 |
| ID (@25°C) max | 180 A |
| Montage | THT |
| Betriebstemperatur min. max | -55 °C 175 °C |
| Zapfwelle max | 370 W |
| Paket | TO-220 |
| Polarität | N |
| QG (typ. bei 10 V) | 150 nC |
| Qgd | 43 nC |
| RDS (ein) (@10V) max | 4,5 mΩ |
| RthJC max | 0,4 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 100 V |
| VGS(th) min max | 3 V 2 V 4 V |
| VGS max | 20 V |
Diskrete Halbleiterprodukte
Zu den diskreten Halbleiterprodukten gehören einzelne Transistoren, Dioden und Thyristoren sowie kleine Arrays davon, die aus zwei, drei, vier oder einer anderen kleinen Anzahl ähnlicher Geräte in einem einzigen Gehäuse bestehen.Sie werden am häufigsten zum Aufbau von Schaltungen mit erheblicher Spannungs- oder Strombeanspruchung oder zur Realisierung sehr grundlegender Schaltungsfunktionen verwendet.
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