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IPD031N06L3G neuer originaler IC-Chip MCU BOM-Service für elektronische Komponenten auf Lager IPD031N06L3G
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 100 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 3,1 mOhm bei 100A... -
IMZA65R072M1H IC-Chips Transistoren Elektronische Komponenten Integrierter Schaltkreis Kondensator IMZA65R072M1H
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie – Package Tube Produktstatus Aktiver FET-Typ – Technologie – Strom – Dauerstrom (Id) bei 25 °C 28 A (Tc) Antriebsspannung (max. Rds Ein, Min. Rds Ein) - Rds Ein (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - FET-Funktion - Verlustleistung (Max) - Betriebstemperatur - Basisproduktnummer IMZA6.. . -
Angebotsstückliste IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N Integrierter Schaltkreis
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Dioden – Gleichrichter – Arrays Hersteller Infineon Technologies Serie Rapid 2 Package Tube Produktstatus Aktive Diodenkonfiguration 1 Paar gemeinsame Kathodendiodentyp Standardspannung – DC-Sperre (Vr) (max.) 650 V Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet ( Io) (pro Diode) 15 A Spannung – Vorwärts (Vf) (max.) bei 2,2 V bei 15 A Geschwindigkeit schnelle Wiederherstellung =< 500 ns, > 200 mA (Io) Rückwärtswiederherstellung... -
KWM Original neuer BSZ100-Transistor PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Integrierter Schaltkreis-IC-Chip auf Lager
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 40 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 6 V, 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 10 mOhm bei 20A, 10V... -
AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF IC Chip Neue Original Integrierte Schaltung
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds ein, min. Rds ein) 4,5 V, 10 V Rds ein (max.) @ Id, Vgs 6mOhm... -
(LAGER) BSS138NH6327 neue und originale elektronische Komponenten, heißes Produkt
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 230 mA (Ta) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 3,5 Ohm bei 230 mA... -
Original Neue Auf Lager MOSFET Transistor Diode Thyristor SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Elektronische Komponente
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 120 mA (Ta) Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V Rds Ein (Max) bei Id, Vgs 45 Ohm @ 120mA... -
Brandneuer Original-MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds ein, min. Rds ein) 4,5 V, 10 V Rds ein (max.) @ Id, Vgs 2,8 m... -
Neu Auf Lager Integrierte Schaltung TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Ic Chip
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds an, min. Rds an) 6 V, 10 V Rds an (max.) @ Id, Vgs 16mOh... -
Neue und originale integrierte Schaltung BSC100N06LS3G
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds ein, min. Rds ein) 4,5 V, 10 V Rds ein (max.) @ Id, Vgs 10mOh... -
BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Ic Chip Original Elektronische Komponente
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 90 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds an, min. Rds an) 6 V, 10 V Rds an (max.) bei Id, Vgs 7 mOhm bei 50A, 10V... -
AQX BSC060N10NS3G Neuer und originaler integrierter Schaltkreis-IC-Chip BSC060N10NS3G Produktattribute
Produktattribute TYP BESCHREIBUNG Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzelhersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Package Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Produktstatus Aktiver FET-Typ N-Kanal-Technologie MOSFET (Metalloxid). ) Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom – kontinuierlicher Drain (Id) bei 25 °C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Antriebsspannung (Max. Rds ein, min. Rds ein) 6 V, 10 V Rds ein (max.) @ Id, Vgs 6mOh...
