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(LAGER) BSS138NH6327 neue und originale elektronische Komponenten, heißes Produkt

kurze Beschreibung:


Produktdetail

Produkt Tags

Produkteigenschaften

TYP BESCHREIBUNG
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte

Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln

Hersteller Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Paket Tape & Reel (TR)

Schnittband (CT)

Digi-Reel®

Produktstatus Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V
Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 230mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3,5 Ohm bei 230 mA, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 1,4 V bei 26 µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1,4 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 41 pF bei 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360 mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten PG-SOT23
Paket/Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer BSS138

Dokumente und Medien

RESSOURCENTYP VERKNÜPFUNG
Datenblätter BSS138N

BSS138N Datenblatt

Andere verwandte Dokumente Leitfaden zur Teilenummer
Vorgestelltes Produkt Datenverarbeitungssysteme
HTML-Datenblatt BSS138N Datenblatt

BSS138N

EDA-Modelle BSS138NH6327XTSA2 von Ultra Librarian
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 60V N-Kanal-Spice-Modell

Umwelt- und Exportklassifizierungen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095

Zusätzliche Ressourcen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen BSS138NH6327XTSA1

SP000919330

BSS138N H6327-ND

BSS138NH6327XTSA2DKR

BSS138NH6327XTSA2CT

BSS138NH6327XTSA2INAKTIV

BSS138NH6327XTSA2TR

BSS138NH6327XTSA2-ND

BSS138N H6327

SP000639080

Standardpaket 3.000

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das üblicherweise in Verstärkern oder elektronisch gesteuerten Schaltern verwendet wird.Transistoren sind die Grundbausteine, die den Betrieb von Computern, Mobiltelefonen und allen anderen modernen elektronischen Schaltkreisen regeln.

Aufgrund ihrer schnellen Reaktionsgeschwindigkeit und hohen Genauigkeit können Transistoren für eine Vielzahl digitaler und analoger Funktionen verwendet werden, darunter Verstärkung, Schalten, Spannungsregler, Signalmodulation und Oszillator.Transistoren können einzeln oder in einem sehr kleinen Bereich verpackt werden, der 100 Millionen oder mehr Transistoren als Teil eines integrierten Schaltkreises aufnehmen kann.

Gegenüber der Elektronenröhre hat der Transistor viele Vorteile:

Komponente hat keinen Verbrauch

Unabhängig davon, wie gut die Röhre ist, wird sie aufgrund von Veränderungen in den Kathodenatomen und chronischem Luftleck immer schlechter.Aus technischen Gründen hatten Transistoren bei ihrer ersten Herstellung das gleiche Problem.Durch Fortschritte bei den Materialien und Verbesserungen in vielen Aspekten halten Transistoren in der Regel 100 bis 1.000 Mal länger als elektronische Röhren.

Verbrauchen Sie sehr wenig Strom

Es beträgt nur ein Zehntel oder Zehntel der Elektronenröhre.Es ist nicht erforderlich, den Glühfaden zu erhitzen, um freie Elektronen wie bei der Elektronenröhre zu erzeugen.Ein Transistorradio benötigt nur ein paar Trockenbatterien, um sechs Monate im Jahr zu hören, was bei einem Röhrenradio schwierig ist.

Kein Vorheizen erforderlich

Arbeiten Sie, sobald Sie es einschalten.Beispielsweise geht ein Transistorradio aus, sobald es eingeschaltet wird, und ein Transistorfernseher stellt ein Bild ein, sobald er eingeschaltet wird.Vakuumröhrengeräte können das nicht.Warten Sie nach dem Booten eine Weile, bis Sie den Ton hören, siehe Bild.Offensichtlich sind Transistoren im Militär-, Mess-, Aufzeichnungs- usw. Bereich sehr vorteilhaft.

Stark und zuverlässig

100-mal zuverlässiger als die Elektronenröhre, Schockfestigkeit, Vibrationsfestigkeit, die mit der Elektronenröhre nicht zu vergleichen ist.Darüber hinaus beträgt die Größe des Transistors nur ein Zehntel bis ein Hundertstel der Größe der Elektronenröhre, was zu einer sehr geringen Wärmeabgabe führt und zum Entwurf kleiner, komplexer und zuverlässiger Schaltkreise verwendet werden kann.Obwohl der Herstellungsprozess von Transistoren präzise ist, ist der Prozess einfach, was zur Verbesserung der Installationsdichte von Komponenten beiträgt.


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