SN74CB3Q3245RGYR 100 % neuer und originaler DC-DC-Wandler und Schaltregler-Chip

kurze Beschreibung:

Der SN74CB3Q3245 ist ein FET-Busschalter mit hoher Bandbreite, der eine Ladungspumpe verwendet, um die Gate-Spannung des Durchgangstransistors zu erhöhen und so einen niedrigen und flachen Widerstand im EIN-Zustand (Ron) bereitzustellen.Der niedrige und flache Widerstand im EIN-Zustand ermöglicht eine minimale Ausbreitungsverzögerung und unterstützt Rail-to-Rail-Switching an den Dateneingangs-/-ausgangsanschlüssen (I/O).Das Gerät verfügt außerdem über eine niedrige Daten-I/O-Kapazität, um kapazitive Belastungen und Signalverzerrungen auf dem Datenbus zu minimieren.Der SN74CB3Q3245 wurde speziell für die Unterstützung von Anwendungen mit hoher Bandbreite entwickelt und bietet eine optimierte Schnittstellenlösung, die sich ideal für Breitbandkommunikation, Netzwerke und datenintensive Computersysteme eignet.

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Produktdetail

Produkt Tags

Produkteigenschaften

TYP	VERANSCHAULICHEN
Kategorie	Signalumschalter, Multiplexer, Decoder
Hersteller	Texas Instruments
Serie	74CB
wickeln	Band- und Rollpakete (TR) Isolierbandpaket (CT) Digi-Reel®
Produktstatus	Aktiv
Typ	Busschalter
Schaltkreis	8 x 1:1
Unabhängiger Stromkreis	1
Strom – Ausgang hoch, niedrig	-
Spannungsversorgungsquelle	Einzelnes Netzteil
Spannung – Stromversorgung	2,3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C
Installationstyp	Oberflächenklebstofftyp
Paket/Gehäuse	20-VFQFN freiliegendes Pad
Kapselung von Herstellerkomponenten	20-VQFN (3,5x4,5)
Produktstammnummer	74CB3Q3245

Produkteinführung

Der SN74CB3Q3245 ist als 8-Bit-Busschalter mit einem einzigen Output-Enable-Eingang (OE\) organisiert.Wenn OE\ niedrig ist, ist der Busschalter eingeschaltet und der A-Port ist mit dem B-Port verbunden, wodurch ein bidirektionaler Datenfluss zwischen den Ports ermöglicht wird.Wenn OE\ hoch ist, ist der Busschalter AUS und zwischen den Anschlüssen A und B besteht ein Hochimpedanzzustand.

Dieses Gerät ist vollständig für Teilabschaltanwendungen mit Ioff spezifiziert.Die Ioff-Schaltung verhindert einen schädlichen Stromrückfluss durch das Gerät, wenn es ausgeschaltet ist.Das Gerät ist im ausgeschalteten Zustand isoliert.

Um den hochohmigen Zustand beim Ein- oder Ausschalten sicherzustellen, sollte OE\ über einen Pullup-Widerstand mit VCC verbunden werden;Der Mindestwert des Widerstands wird durch die Stromaufnahmefähigkeit des Treibers bestimmt.

Produktmerkmale

Datenpfad mit hoher Bandbreite (bis zu 500 MHz ↑)
Entspricht dem IDTQS3VH384-Gerät
5-V-tolerante E/As bei eingeschaltetem oder ausgeschaltetem Gerät
Niedrige und flache Widerstandseigenschaften im EIN-Zustand (ron) über den Betriebsbereich (ron = 4 Ω typisch)
Rail-to-Rail-Switching an Daten-E/A-Ports. Bidirektionaler Datenfluss mit einer Ausbreitungsverzögerung von nahezu NullNiedrige Eingangs-/Ausgangskapazität minimiert Belastung und Signalverzerrung (Cio(OFF) = typisch 3,5 pF)
- 0- bis 5-V-Umschaltung mit 3,3 V VCC
- 0- bis 3,3-V-Umschaltung mit 2,5-V-VCC
Schnelle Schaltfrequenz (fOE\ = 20 MHz Max)
Daten- und Steuereingänge bieten Undershoot-Clamp-Dioden
Geringer Stromverbrauch (ICC = 1 mA typisch)
VCC-Betriebsbereich von 2,3 V bis 3,6 V
Daten-E/As unterstützen Signalpegel von 0 bis 5 V (0,8 V, 1,2 V, 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V, 5 V)
Steuereingänge können über TTL- oder 5-V-/3,3-V-CMOS-Ausgänge angesteuert werden
Ioff unterstützt den Betrieb im Teil-Power-Down-Modus
Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
ESD-Leistung gemäß JESD 22 getestet. Unterstützt sowohl digitale als auch analoge Anwendungen: PCI-Schnittstelle, Differenzsignalschnittstelle, Speicherinterleaving, Busisolation, verzerrungsarmes Signal-Gating
- 2000-V Mensch-Körper-Modell (A114-B, Klasse II)
- 1000-V-Modell mit geladenem Gerät (C101)

Produkt Vorteile

- Wärmemanagement und Überspannungsschutz
Das Wärmemanagement ist eine weitere große Herausforderung für die Entwickler von Batterieladegeräten.Jeder Ladechip erfährt während des Ladevorgangs aufgrund der Wärmeableitung einen Spannungsabfall.Um Batterieschäden oder Systemabschaltungen zu vermeiden, verfügen die meisten Ladegeräte über einen Kontrollmechanismus zur Steuerung der Wärmeentwicklung.Neuere Geräte verwenden ausgefeiltere Rückkopplungstechniken, um die Temperatur des Chips kontinuierlich zu überwachen und den Ladestrom dynamisch oder durch Berechnung proportional zur Änderung der Umgebungstemperatur anzupassen.Diese eingebaute Intelligenz ermöglicht es dem aktuellen Ladechip, den Ladestrom schrittweise zu reduzieren, bis ein thermisches Gleichgewicht erreicht ist und die Die-Temperatur nicht mehr ansteigt.Diese Technologie ermöglicht es dem Ladegerät, die Batterie kontinuierlich mit dem maximal möglichen Strom aufzuladen, ohne dass das System abschaltet, wodurch die Ladezeit der Batterie verkürzt wird.Die meisten neueren Geräte verfügen heutzutage typischerweise auch über einen Überspannungsschutzmechanismus.
Das Ladegerät BQ25616JRTWR bietet verschiedene Sicherheitsfunktionen für das Laden der Batterie und den Systembetrieb, einschließlich der Überwachung des Thermistors mit negativem Temperaturkoeffizienten der Batterie, einem Ladesicherheitstimer sowie Überspannungs- und Überstromschutz.Die Wärmeregulierung reduziert den Ladestrom, wenn die Sperrschichttemperatur 110 °C überschreitet.Der STAT-Ausgang meldet den Ladestatus und etwaige Fehlerzustände.

Anwendungsszenarien

Der Batterieladechip gehört zu einer Art Energieverwaltungschip, der Anwendungsbereich ist sehr breit.Die Entwicklung von Power-Management-Chips ist wichtig für die Verbesserung der Leistung der gesamten Maschine, die Wahl der Power-Management-Chips steht in direktem Zusammenhang mit den Anforderungen des Systems, während bei der Entwicklung digitaler Power-Management-Chips noch die Kostengrenze überschritten werden muss.
Der BQ25616/616J ist ein hochintegriertes 3-A-Schaltmodus-Batterielademanagement- und Systemstrompfadmanagementgerät für Einzelzellen-Li-Ion- und Li-Polymer-Batterien.Die Lösung ist hochintegriert mit einem rückwärts sperrenden Eingangs-FET (RBFET, Q1), einem High-Side-Schalt-FET (HSFET, Q2), einem Low-Side-Schalt-FET (LSFET, Q3) und einem Batterie-FET (BATFET, Q4) zwischen System und System Batterie.Der Leistungspfad mit niedriger Impedanz optimiert die Effizienz des Schaltmodusbetriebs, verkürzt die Ladezeit der Batterie und verlängert die Batterielaufzeit während der Entladephase.
Der BQ25616/616J ist ein hochintegriertes 3-A-Schaltmodus-Batterielademanagement- und System-Power-Path-Managementgerät für Li-Ionen- und Li-Polymer-Batterien.Es verfügt über schnelles Laden mit Unterstützung hoher Eingangsspannung für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Lautsprecher, industrielle und medizinische tragbare Geräte.Sein Leistungspfad mit niedriger Impedanz optimiert die Effizienz des Schaltmodus-Betriebs, verkürzt die Batterieladezeit und verlängert die Batterielaufzeit während der Entladephase.Seine Eingangsspannungs- und Stromregelung liefert maximale Ladeleistung für die Batterie.
Die Lösung ist hochintegriert mit einem rückwärts sperrenden Eingangs-FET (RBFET, Q1), einem High-Side-Schalt-FET (HSFET, Q2), einem Low-Side-Schalt-FET (LSFET, Q3) und einem Batterie-FET (BATFET, Q4) zwischen System und System Batterie.Für ein vereinfachtes Systemdesign ist außerdem die Bootstrap-Diode für den High-Side-Gate-Antrieb integriert.Die Hardware-Einstellung und der Statusbericht ermöglichen eine einfache Konfiguration zum Einrichten der Ladelösung.

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