IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Chip Neue elektronische Komponente

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Produktdetail

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IPD042P03L3 G
P-Kanal-Anreicherungsmodus Feldeffekttransistor (FET), -30 V, D-PAK
Zu den hochinnovativen Opti MOS™-Familien von Infineon gehören p-Kanal-Leistungs-MOSFETs.Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für das Design von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Einschaltwiderstand und Gütemerkmale.

Zusammenfassung der Funktionen
Erweiterungsmodus
Logikebene
Lawinentauglich
Schnelles Umschalten
Dv/dt bewertet
Bleifreie Bleibeschichtung
RoHS-konform, Halogenfrei
Qualifiziert nach AEC Q101
Anwendungsmöglichkeiten
Energieverwaltungsfunktionen
Motorsteuerung
Bordladegerät
DC-DC
Verbraucher
Übersetzer auf Logikebene
Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber
Andere Schaltanwendungen

Spezifikationen

Produkteigenschaft	Attributwert
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFET
RoHS:	Einzelheiten
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Paket/Koffer:	TO-252-3
Transistorpolarität:	P-Kanal
Anzahl der Kanäle:	1 Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung:	30 V
Id – Dauerstrom:	70 A
Rds On – Drain-Source-Widerstand:	3,5 mOhm
Vgs – Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung:	2 V
Qg – Gate-Ladung:	175 nC
Mindestbetriebstemperatur:	- 55 °C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 °C
Pd – Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Erweiterung
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Spule
Verpackung:	Klebeband abschneiden
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Aufbau:	Einzel
Abfallzeit:	22 ns
Vorwärtstranskonduktanz – Min.:	65 S
Höhe:	2,3 mm
Länge:	6,5 mm
Produktart:	MOSFET
Anstiegszeit:	167 ns
Serie:	OptiMOS P3
Werkspackungsmenge:	2500
Unterkategorie:	MOSFETs
Transistortyp:	1 P-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit:	89 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	21 ns
Breite:	6,22 mm
Teilenummer-Aliase:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Gewichtseinheit:	0,011640 Unzen