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IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Chip Neue elektronische Komponente

kurze Beschreibung:


Produktdetail

Produkt Tags

IPD042P03L3 G
P-Kanal-Anreicherungsmodus Feldeffekttransistor (FET), -30 V, D-PAK
Zu den hochinnovativen Opti MOS™-Familien von Infineon gehören p-Kanal-Leistungs-MOSFETs.Diese Produkte erfüllen durchweg die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für das Design von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Einschaltwiderstand und Gütemerkmale.

Zusammenfassung der Funktionen
Erweiterungsmodus
Logikebene
Lawinentauglich
Schnelles Umschalten
Dv/dt bewertet
Bleifreie Bleibeschichtung
RoHS-konform, Halogenfrei
Qualifiziert nach AEC Q101
Anwendungsmöglichkeiten
Energieverwaltungsfunktionen
Motorsteuerung
Bordladegerät
DC-DC
Verbraucher
Übersetzer auf Logikebene
Leistungs-MOSFET-Gate-Treiber
Andere Schaltanwendungen

Spezifikationen

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: MOSFET
RoHS:  Einzelheiten
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Paket/Koffer: TO-252-3
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 30 V
Id – Dauerstrom: 70 A
Rds On – Drain-Source-Widerstand: 3,5 mOhm
Vgs – Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: 2 V
Qg – Gate-Ladung: 175 nC
Mindestbetriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 °C
Pd – Verlustleistung: 150 W
Kanalmodus: Erweiterung
Handelsname: OptiMOS
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Aufbau: Einzel
Abfallzeit: 22 ns
Vorwärtstranskonduktanz – Min.: 65 S
Höhe: 2,3 mm
Länge: 6,5 mm
Produktart: MOSFET
Anstiegszeit: 167 ns
Serie: OptiMOS P3
Werkspackungsmenge: 2500
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 1 P-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 89 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 21 ns
Breite: 6,22 mm
Teilenummer-Aliase: IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Gewichtseinheit: 0,011640 Unzen

 


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