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Produkte

IPD068P03L3G neuer originaler IC-Chip MCU BOM-Service für elektronische Komponenten auf Lager IPD068P03L3G

kurze Beschreibung:


Produktdetail

Produkt Tags

Produkteigenschaften

TYP BESCHREIBUNG
Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte

Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln

Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Paket Tape & Reel (TR)

Schnittband (CT)

Digi-Reel®

Produktstatus Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V
Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) 4,5 V, 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6,8 mOhm bei 70 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V bei 150µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC bei 10 V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 7720 pF bei 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 100 W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Oberflächenmontage
Gerätepaket des Lieferanten PG-TO252-3
Paket/Koffer TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Tab), SC-63
Basisproduktnummer IPD068

Dokumente und Medien

RESSOURCENTYP VERKNÜPFUNG
Datenblätter IPD068P03L3 G
Andere verwandte Dokumente Leitfaden zur Teilenummer
Vorgestelltes Produkt Datenverarbeitungssysteme
HTML-Datenblatt IPD068P03L3 G
EDA-Modelle IPD068P03L3GATMA1 von Ultra Librarian

Umwelt- und Exportklassifizierungen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unbegrenzt)
REACH-Status REACH Unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Zusätzliche Ressourcen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
Andere Namen IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Standardpaket 2.500

Transistor

Ein Transistor ist einHalbleiterbauelementgewöhnt anverstärkenoderschaltenelektrische Signale undLeistung.Der Transistor ist einer der Grundbausteine ​​der ModerneElektronik.[1]Es besteht ausHalbleitermaterial, normalerweise mit mindestens dreiTerminalszum Anschluss an eine elektronische Schaltung.AStromspannungoderaktuellEin an ein Klemmenpaar des Transistors angelegter Strom steuert den Strom durch ein anderes Klemmenpaar.Da die gesteuerte (Ausgangs-)Leistung höher sein kann als die steuernde (Eingangs-)Leistung, kann ein Transistor ein Signal verstärken.Einige Transistoren sind einzeln verpackt, viele weitere sind jedoch eingebettetintegrierte Schaltkreise.

Österreichisch-ungarisch Physiker Julius Edgar Lilienfeldschlug das Konzept von a vorFeldeffekttransistorim Jahr 1926, aber es war zu diesem Zeitpunkt noch nicht möglich, tatsächlich ein funktionierendes Gerät zu bauen.[2]Das erste funktionierende Gerät, das gebaut wurde, war einPunktkontakttransistor1947 von amerikanischen Physikern erfundenJohn BardeenUndWalter Brattainwährend der Arbeit unterWilliam ShockleybeiBell Labs.Die drei teilten sich das Jahr 1956Nobelpreis für Physikfür ihre Leistung.[3]Der am weitesten verbreitete Transistortyp ist derMetalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor(MOSFET), der von erfunden wurdeMohamed AtallaUndDawon Kahngbei Bell Labs im Jahr 1959.[4][5][6]Transistoren revolutionierten den Bereich der Elektronik und ebneten den Weg für kleinere und günstigere GeräteRadios,Taschenrechner, UndComputers, unter anderem.

Die meisten Transistoren bestehen aus sehr reinemSilizium, und einige vonGermanium, aber manchmal werden auch bestimmte andere Halbleitermaterialien verwendet.Ein Transistor kann nur eine Art von Ladungsträgern haben, wie ein Feldeffekttransistor, oder er kann zwei Arten von Ladungsträgern habenbipolarer SperrschichttransistorGeräte.Verglichen mit demVakuumröhreTransistoren sind im Allgemeinen kleiner und benötigen zum Betrieb weniger Strom.Bestimmte Vakuumröhren haben bei sehr hohen Betriebsfrequenzen oder hohen Betriebsspannungen Vorteile gegenüber Transistoren.Viele Transistortypen werden von mehreren Herstellern nach standardisierten Spezifikationen hergestellt.


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