IPD068P03L3G neuer originaler IC-Chip MCU BOM-Service für elektronische Komponenten auf Lager IPD068P03L3G
Produkteigenschaften
TYP | BESCHREIBUNG |
Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Paket | Tape & Reel (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel® |
Produktstatus | Aktiv |
FET-Typ | P-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom – Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 70A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4,5 V, 10 V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6,8 mOhm bei 70 A, 10 V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V bei 150µA |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC bei 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7720 pF bei 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 100 W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Oberflächenmontage |
Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO252-3 |
Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Tab), SC-63 |
Basisproduktnummer | IPD068 |
Dokumente und Medien
RESSOURCENTYP | VERKNÜPFUNG |
Datenblätter | IPD068P03L3 G |
Andere verwandte Dokumente | Leitfaden zur Teilenummer |
Vorgestelltes Produkt | Datenverarbeitungssysteme |
HTML-Datenblatt | IPD068P03L3 G |
EDA-Modelle | IPD068P03L3GATMA1 von Ultra Librarian |
Umwelt- und Exportklassifizierungen
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unbegrenzt) |
REACH-Status | REACH Unberührt |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Zusätzliche Ressourcen
ATTRIBUT | BESCHREIBUNG |
Andere Namen | IPD068P03L3GATMA1DKR IPD068P03L3GATMA1-ND SP001127838 IPD068P03L3GATMA1CT IPD068P03L3GATMA1TR |
Standardpaket | 2.500 |
Transistor
Ein Transistor ist einHalbleiterbauelementgewöhnt anverstärkenoderschaltenelektrische Signale undLeistung.Der Transistor ist einer der Grundbausteine der ModerneElektronik.[1]Es besteht ausHalbleitermaterial, normalerweise mit mindestens dreiTerminalszum Anschluss an eine elektronische Schaltung.AStromspannungoderaktuellEin an ein Klemmenpaar des Transistors angelegter Strom steuert den Strom durch ein anderes Klemmenpaar.Da die gesteuerte (Ausgangs-)Leistung höher sein kann als die steuernde (Eingangs-)Leistung, kann ein Transistor ein Signal verstärken.Einige Transistoren sind einzeln verpackt, viele weitere sind jedoch eingebettetintegrierte Schaltkreise.
Österreichisch-ungarisch Physiker Julius Edgar Lilienfeldschlug das Konzept von a vorFeldeffekttransistorim Jahr 1926, aber es war zu diesem Zeitpunkt noch nicht möglich, tatsächlich ein funktionierendes Gerät zu bauen.[2]Das erste funktionierende Gerät, das gebaut wurde, war einPunktkontakttransistor1947 von amerikanischen Physikern erfundenJohn BardeenUndWalter Brattainwährend der Arbeit unterWilliam ShockleybeiBell Labs.Die drei teilten sich das Jahr 1956Nobelpreis für Physikfür ihre Leistung.[3]Der am weitesten verbreitete Transistortyp ist derMetalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor(MOSFET), der von erfunden wurdeMohamed AtallaUndDawon Kahngbei Bell Labs im Jahr 1959.[4][5][6]Transistoren revolutionierten den Bereich der Elektronik und ebneten den Weg für kleinere und günstigere GeräteRadios,Taschenrechner, UndComputers, unter anderem.
Die meisten Transistoren bestehen aus sehr reinemSilizium, und einige vonGermanium, aber manchmal werden auch bestimmte andere Halbleitermaterialien verwendet.Ein Transistor kann nur eine Art von Ladungsträgern haben, wie ein Feldeffekttransistor, oder er kann zwei Arten von Ladungsträgern habenbipolarer SperrschichttransistorGeräte.Verglichen mit demVakuumröhreTransistoren sind im Allgemeinen kleiner und benötigen zum Betrieb weniger Strom.Bestimmte Vakuumröhren haben bei sehr hohen Betriebsfrequenzen oder hohen Betriebsspannungen Vorteile gegenüber Transistoren.Viele Transistortypen werden von mehreren Herstellern nach standardisierten Spezifikationen hergestellt.