Neuer originaler integrierter Schaltkreis BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC-Chip
BSZ040N06LS5
Die OptiMOS™ 5-Leistungs-MOSFETs mit Logikebene von Infineon eignen sich hervorragend für kabelloses Laden, Adapter und Telekommunikationsanwendungen.Die niedrige Gate-Ladung (Q g) der Geräte reduziert Schaltverluste, ohne die Leitungsverluste zu beeinträchtigen.Die verbesserten Gütezahlen ermöglichen den Betrieb bei hohen Schaltfrequenzen.Darüber hinaus sorgt der Logikpegel-Antrieb für eine niedrige Gate-SchwelleHaltespannung (V GS(th)), sodass die MOSFETs mit 5 V und direkt von Mikrocontrollern betrieben werden können.
Zusammenfassung der Funktionen
Niedriger R DS(on) in kleinem Paket
Niedrige Gate-Ladung
Niedrigere Ausgangsladung
Kompatibilität auf Logikebene
Vorteile
Designs mit höherer Leistungsdichte
Höhere Schaltfrequenz
Reduzierte Teileanzahl überall dort, wo 5-V-Versorgungen verfügbar sind
Direkt von Mikrocontrollern angetrieben (langsames Schalten)
Reduzierung der Systemkosten
Parametrik
| Parametrik | BSZ040N06LS5 |
| Budgetpreis €/1.000 | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Coss | 500 pF |
| ID (@25°C) max | 101 A |
| IDpuls max | 404 A |
| Montage | SMD |
| Betriebstemperatur min. max | -55 °C 150 °C |
| Zapfwelle max | 69 W |
| Paket | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Pin-Anzahl | 8 Stifte |
| Polarität | N |
| QG (typ. bei 4,5 V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (ein) (@4,5V LL) max | 5,6 mΩ |
| RDS (ein) (@4,5V) max | 5,6 mΩ |
| RDS (ein) (@10V) max | 4 mΩ |
| Rth max | 1,8 K/W |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 1,8 K/W |
| VDS max | 60 V |
| VGS(th) min max | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
